目前國內(nèi)主要以低端MOSFET產(chǎn)品為主，在中高端MOSFET器件中，主要依賴進口，國產(chǎn)替代空間廣闊，士蘭微 MOSFET可分為平面型、溝槽型、屏蔽柵型、超級結(jié)型，可實現(xiàn)進口MOS替代，廣泛應(yīng)用于移動電源、快充、無人 機、新能源汽車等大量領(lǐng)域。

　　

　　30v mos管SVG032R4NL5 提供PDFN56封裝，采用士蘭的LVMOS工藝技術(shù)制造，具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量，和尼克森PKC26BB屬于同一類型MOS，耐壓、導(dǎo)通電阻、封裝基本一致,可兼容替代尼克森PKC26BB。

　　

　　PKC26BB替代料SVG032R4NL5 30v mos管特點　　

　　■ 100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ @Vcs=10V　　

　　■ 低柵極電荷　　

　　■ 低反向傳輸電容　　

　　■ 開關(guān)速度快　　

　　■ 提升了dv/dt能力　　

　　■ 100%雪崩測試　　

　　■ 無鉛管腳鍍層　　

　　■ 符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)

　　

　　PKC26BB替代料SVG032R4NL5N關(guān)鍵特性參數(shù)

參數(shù)	參數(shù)值	單位
VDS	30	V
VGS	1.0-2.2	V
RDS(ON),max	2.4	mΩ
ID	100	A
Qg.typ	39	nC

　　

　　PKC26BB替代料SVG032R4NL5 30v mos管具有100A、30V的電流、電壓，RDS(on) = 2.0mΩtyp) ，最高柵源電壓@VGS =±20 V，100% 雪崩測試，提升了dv/dt能力，高可靠性，開關(guān)速度快，低導(dǎo)通內(nèi)阻RDS(on)。更多尼克森PKC26BB替代料30v mos管SVG032R4NL5 參數(shù)及相關(guān)資料請向士蘭微mos代理商驪微電子申請。>>