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- [ 11-08 10:28 ]士蘭微650V高壓超結(jié)STS系列，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電源領(lǐng)域！
- 士蘭微新一代高壓650V MOSFET系列，采用Super-Junction（超結(jié)）結(jié)構(gòu)，工作電流在5A20A之間，打破VDMOS器件Rdson與BVDSS之間的矛盾關(guān)系，在降低器件的導(dǎo)通電阻的同時(shí)，BVDSS可以做到幾乎不變，廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源，L...
- [ 08-18 02:46 ]銓力-Allpower 30V系列：電機(jī)驅(qū)動(dòng)、bms mos管！
- 銓力-Allpower 30V Trench MOSFET主要應(yīng)用于BLDC、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、加濕器電源、儲(chǔ)能、小家電、BMS等領(lǐng)域，針對(duì)電動(dòng)工具市場(chǎng)推出了一系列先進(jìn)封裝、短路能力強(qiáng)、低內(nèi)阻產(chǎn)品，主要應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、鋰保等結(jié)構(gòu)領(lǐng)域，下面推...
- [ 07-21 02:09 ]SVGP157R2NS 100A 150V 電動(dòng)車控制器、大功率電源專用MOS
- 在車用電機(jī)控制器領(lǐng)域，應(yīng)用于A00級(jí)車型的功率器件根據(jù)電池電壓不同，一般分為100V-180V電壓和200V-450V的電壓兩種，100V-180V電壓系統(tǒng)中，因工作電壓相對(duì)低，工作電流較大（通常會(huì)達(dá)到350Arms以上），一般都采用MO...
- [ 06-30 10:52 ]60-80V mos管系列，BMS、逆變器、儲(chǔ)能光伏專用mos管！
- 60-80V低壓mos管系列采用士蘭的LVMOS工藝技術(shù)制造，具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量，可廣泛應(yīng)用于不間斷電源及逆變器系統(tǒng)的電源管理領(lǐng)域，BMS、逆變器、儲(chǔ)能光伏專用mos管！ 60V 低壓mos...
- [ 05-23 11:10 ]ncp81155替代物料ID7S0230/ID1123D自舉驅(qū)動(dòng)芯片
- 近兩年來，由于國(guó)外芯片的高價(jià)格和缺貨等因素，很多廠商通過國(guó)產(chǎn)替代來解決項(xiàng)目缺料的問題，芯朋微旗下子公司無錫安趨電子專注功率驅(qū)動(dòng)芯片及智能模塊，推出11V-600V高、中、低壓功率器件驅(qū)動(dòng)芯片，廣泛應(yīng)用于家用...
- [ 04-18 10:44 ]PN7103/IR2103芯片替代料ID5S606B國(guó)產(chǎn)柵極驅(qū)動(dòng)
- PN7103/IR2103芯片替代料ID5S606B柵極驅(qū)動(dòng)芯片是控制器和功率器件之間的橋梁，集成各種復(fù)雜的功能，以便對(duì)功率器件提供更好的保護(hù)、監(jiān)測(cè)以及開關(guān)行為的本地控制，典型應(yīng)用于高壓風(fēng)機(jī)和泵和步進(jìn)馬達(dá)領(lǐng)域，以進(jìn)一步提...
- [ 04-11 10:44 ]電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片有哪些，電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片選型！
- 電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片 是集成有CMOS控制電路和DMOS功率器件的芯片，包含了速度控制、力矩控制、位置控制及過載保護(hù)等功能的集成電路，在電子行業(yè)，電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片使用非常廣泛，凡是要用到馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的產(chǎn)品，幾乎都離不開電機(jī)驅(qū)...
- [ 02-17 09:51 ]電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片原理及功能應(yīng)用
- 電機(jī)參數(shù)不同、運(yùn)行速率不同將會(huì)直接影響到電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片的選擇，一款合適的電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片可以直接影響電機(jī)的運(yùn)行效率、噪音、震動(dòng)、堵轉(zhuǎn)等問題，下面讓我們一起了解下電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片工作原理及功能應(yīng)用，以便更好的選...
- [ 12-30 03:02 ]N溝道m(xù)os管工作原理及n溝道m(xù)os管用途！
- 項(xiàng)目中最常用的為增強(qiáng)型mos管，可分為N溝道和P溝道兩種，n溝道MOS管由p型襯底和兩個(gè)高濃度n擴(kuò)散區(qū)構(gòu)成，該管導(dǎo)通時(shí)在兩個(gè)高濃度n擴(kuò)散區(qū)間形成n型導(dǎo)電溝道，由于N溝道m(xù)os管其導(dǎo)通電阻小，且容易制造所以項(xiàng)目中大部分...
- [ 12-06 09:34 ]IR2104半橋驅(qū)動(dòng)替代芯片ID7U603，ir2104芯片驅(qū)動(dòng)原理！
- 電機(jī)驅(qū)動(dòng)主要采用N溝道MOSFET構(gòu)建H橋驅(qū)動(dòng)電路，H 橋是一個(gè)典型的直流電機(jī)控制電路，由于它的電路外形酷似字母 H，故得名與H橋，4個(gè)開關(guān)組成H的4條垂直腿，而電機(jī)就是H中的橫杠。要使電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)，必須使對(duì)角線上的一對(duì)...
- [ 10-25 02:17 ]常用低壓mos管型號(hào)及選型！
- 士蘭微常用低壓mos管主要有Trench工藝LVMOS和SGT LVMOS兩種工藝，Trench LVMOS，產(chǎn)品包括耐壓30V-250V，額定電流10A-300A；主要封裝有TO220、TO252、PDFN33、PDFN56、等多種封裝。 常用低壓mos管型號(hào)及選型（ Slian...
- [ 10-20 10:20 ]5W-65W充電器電源芯片方案及選型！
- 充電器是將電壓和頻率固定不變的交流電變換為直流電的一種靜止變流裝置�？蔀槌潆婋姵爻潆�，為蓄電裝置提供能量，常用的有5W/10W/12W/15W/18W/20W/24W/36W/65W等多種功率類型，充電器中的核心元器件為充電器電源芯...
- [ 09-16 11:00 ]SVF4N65/SVF7N65/SVF10N65/SVF12N65常用高壓mos管參數(shù)！
- MOS管是一種金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或稱金屬絕緣體半導(dǎo)體，具有高頻、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單、抗擊穿性好等特點(diǎn)，是中小功率應(yīng)用領(lǐng)域的主流開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于通信、消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)控制、計(jì)算機(jī)及外設(shè)設(shè)備、...
- [ 07-29 01:47 ]OB2281芯片替代料CR6889B，貨源更穩(wěn)定！
- 2021年以來電源芯片均出現(xiàn)了不同程度的漲價(jià)缺貨，從一開始的缺貨漲價(jià)交期延長(zhǎng)，到后面的交期不定，有價(jià)未必有貨，一貨難求，缺貨潮催化了各芯片間的相互代換，啟辰微CR6889B不僅能代換OB2281、OB2273、還可以兼容SD...
- [ 06-24 09:55 ]viper12a替代芯片AP8012H pin to pin兼容不改PCB及外圍參數(shù)
- 芯朋微基于自研高低壓集成平臺(tái)開發(fā)的 700V 單片集成電源芯片，成功進(jìn)入家電領(lǐng)域，家電類芯片以進(jìn)口替代為目標(biāo)，打破了國(guó)外芯片企業(yè)在該領(lǐng)域的壟斷，多款產(chǎn)品在性能上已經(jīng)可比肩同類芯片水準(zhǔn)，并且以更高的性價(jià)比逐...
- [ 06-17 11:11 ]IR4427替換芯片ID1127雙低側(cè)、大電流驅(qū)動(dòng)，可完美代換！
- 近兩年來，由于缺貨和漲價(jià)等因素，很多廠商通過國(guó)產(chǎn)替代來解決項(xiàng)目缺料的問題，國(guó)產(chǎn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片在電壓耐壓、電流驅(qū)動(dòng)能力及抗靜電、抗浪涌等可靠性方面都有不錯(cuò)的表現(xiàn)，ID1127雙低側(cè)、大電流驅(qū)動(dòng)可兼容替代IR4427...
- [ 05-31 10:52 ]IR2304替代料ID5S609F1 600V半橋驅(qū)動(dòng)芯片
- ID5S609F1 600V半橋驅(qū)動(dòng)芯片浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)最高600V的N溝道MOSFET或IGBT，通斷時(shí)間180ns/250ns。兼容ir2304驅(qū)動(dòng)芯片，廣泛應(yīng)用于中小型功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動(dòng)、半橋功率逆變器、全橋功率逆變器、...
- [ 05-20 09:51 ]30v mos管PKC26BB替代料SVG032R4NL5
- 目前國(guó)內(nèi)主要以低端MOSFET產(chǎn)品為主，在中高端MOSFET器件中，主要依賴進(jìn)口，國(guó)產(chǎn)替代空間廣闊，士蘭微 MOSFET可分為平面型、溝槽型、屏蔽柵型、超級(jí)結(jié)型，可實(shí)現(xiàn)進(jìn)口MOS替代，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)電源、快充、無人 機(jī)、新...
- [ 05-10 01:32 ]ir2110驅(qū)動(dòng)替代料ID7S625高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片
- IR2110驅(qū)動(dòng)是大功率MOSFET和IGBT專用柵極驅(qū)動(dòng)集成電路，已在電源變換、馬達(dá)調(diào)速等功率驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域中獲得了廣泛的應(yīng)用，ir2110驅(qū)動(dòng)替代料ID7S625高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片不僅簡(jiǎn)化了系統(tǒng)電路，更提高了電路效率，實(shí)現(xiàn)了電路結(jié)構(gòu)...
- [ 05-06 10:09 ]ncp1342替代料PN8213氮化鎵pd充電器芯片
- 近年來，我國(guó)半導(dǎo)體在氮化鎵、氮化硅領(lǐng)域發(fā)展迅速，芯片缺貨問題，更是加快了國(guó)產(chǎn)GaN控制芯片發(fā)展的步伐，不少之前使用國(guó)外控制芯片方案商和終端廠商開始切換到國(guó)內(nèi)企業(yè)的產(chǎn)品，芯朋微推出ncp1342替代料PN8213氮化...
