IR2110驅(qū)動是大功率MOSFET和IGBT專用柵極驅(qū)動集成電路，已在電源變換、馬達調(diào)速等功率驅(qū)動領(lǐng)域中獲得了廣泛的應用，ir2110驅(qū)動替代料ID7S625高壓半橋驅(qū)動芯片不僅簡化了系統(tǒng)電路，更提高了電路效率，實現(xiàn)了電路結(jié)構(gòu)的高頻化、小型化。

　　

　　ir2110替代芯片ID7S625特性　　

　　■ 高側(cè)浮動偏移電壓600V　　

　　■ 輸入邏輯兼容3.3V/5V/15V　　

　　■ 自舉工作的浮地通道　　

　　■ 芯片工作電壓范圍10V一20V　　

　　■ 所有通道均具有欠壓保護功能(UVLO)　　

　　■ 輸出電流能力2.5A　　

　　■ 所有通道均有延時匹配功能

　　

　　ir2110驅(qū)動替代料ID7S625高壓高低側(cè)柵極驅(qū)動芯片具有體積�。ú捎肳SOP-16封裝）、集成度高（可用于驅(qū)動一個N溝道功率MOSFE或IGBT半橋拓撲結(jié)構(gòu)），響應快（dV/dt 75 V/ns），驅(qū)動能力強（IO+/IO 2.5/2.5 A）等優(yōu)點，內(nèi)置欠壓保護、延時匹配功能可以為更好的適配高頻應用。