氮化鎵GaN作為一種第三代半導(dǎo)體材料，近幾年在消費(fèi)類電源市場中得到了廣泛應(yīng)用，目前商用的氮化鎵直驅(qū)控制器多為國外廠商產(chǎn)品，最為經(jīng)典的代表是安森美NCP1342，同時(shí)伴隨著半導(dǎo)體國產(chǎn)化的趨勢，本土電源芯片企業(yè)芯朋微推出了PN8213氮化鎵控制器，相比NCP1342而言，采用了內(nèi)置驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)，成本更低，可以直驅(qū)氮化鎵功率器件，不僅在性能、穩(wěn)定性和可靠性方面迎頭趕上，更在適應(yīng)多樣化應(yīng)用需求方面具備了更大的靈活性。

　　

　　近期品勝推出了一款65W氮化鎵快充，初級主控芯片采用芯朋號PN8213，是一顆高頻準(zhǔn)諧振開關(guān)電源控制器，品勝65W氮化鎵快充具備2C1A三個(gè)快充接口。其中兩個(gè)USB-C接口均支持65W輸出，支持功率盲插。同時(shí)還支持45+18W功率自動(dòng)分配策略，可以滿足電腦和手機(jī)兩臺(tái)設(shè)備同時(shí)快充需求，和蘋果61W充電器直觀對比，體積優(yōu)勢明顯。

　　

　　PN8213是一顆高頻準(zhǔn)諧振開關(guān)電源控制器，芯片集成高壓啟動(dòng)，支持多模式控制，實(shí)現(xiàn)全負(fù)載范圍的高效率和低待機(jī)功耗表現(xiàn)。芯片內(nèi)置頻率調(diào)制技術(shù)和Soft-Driver技術(shù)，提升系統(tǒng)的EMI性能，并且還內(nèi)置了線電壓補(bǔ)償模塊，提高了全輸入電壓范圍的帶載能力一致性。

　　

　　PN8213還內(nèi)置了全面的保護(hù)功能，包括逐周期過流保護(hù)、輸入電壓保護(hù)、輸出過壓保護(hù)、雙重過熱保護(hù)、次級整流管短路保護(hù)以及過載保護(hù)等保護(hù)功能。芯片采用SSOP10封裝，支持手機(jī)充電器和適配器使用。

　　

　　芯朋65W PN8213快充方案　　

　　■ 輸入規(guī)格：90Vac~264Vac　　

　　■ 輸出規(guī)格：5V3A，9V3A，15V3A，20V3.25A　　

　　■ 高效率：滿載效率93.2%（230Vac），滿足CoC V5 Tier2能效規(guī)范　　

　　■ 低待機(jī)功耗：小于75mW　　

　　■ 寬供電范圍：支持PD3.0協(xié)議　　

　　■ 控制芯片：PN8213+PN8307P+AP2080

　　

　　方案由PN8213、PN8307P、AP2080三顆套片組合，搭配GaN或者SuperJunction器件，具有高環(huán)路穩(wěn)定度、高功率密度、50mW低待機(jī)功耗、100V全集成同步整流等多重亮點(diǎn)。

　　

　　芯朋100W PN8213多口充方案　　

　　■ 輸入規(guī)格：90Vac~264Vac 　　

　　■ 輸出規(guī)格：5V3A，9V3A，12V3A，15V3A，20V5A　　

　　■ 高效率：滿載效率94.0%（230Vac），滿足CoC V5 Tier2能效規(guī)范 　　

　　■ 低待機(jī)功耗：小于75mW　　

　　■ 寬供電范圍：支持PD3.0協(xié)議　　

　　■ 控制芯片：PN8280+PN8213+PN8601+AP2968

　　

　　100W多口快充方案由PN8280+PN8213+PN8601+AP2968四顆套片組合，具有超高性價(jià)比、低諧波電流失真、低待機(jī)功耗、高轉(zhuǎn)換效率等突出亮點(diǎn)。

　　

　　PN8213內(nèi)置800V高壓啟動(dòng)管和X電容放電功能，待機(jī)功耗小于50mW，是基于QR-lock控制的反激芯片，實(shí)現(xiàn)真正QR-Lock技術(shù)，環(huán)路高度穩(wěn)定，與海外友商相比，具備“三高一少”壓倒性優(yōu)勢替代，1/4負(fù)載轉(zhuǎn)換效率高于1%以上，啟動(dòng)HV耐壓高出100V，VDD耐壓高出30V，外圍少2-4顆（OVP復(fù)用），具有市電欠壓保護(hù)、輸出過壓保護(hù)、原副邊防直通保護(hù)、過載保護(hù)、過溫保護(hù)等，進(jìn)口替換的適配度更高，最高支持500kHz工作頻率，減小變壓器及輸出電容體積；典型轉(zhuǎn)換效率大于93%，提升充電器功率密度，更多PN8213產(chǎn)品手冊、變壓器資料、BOM表等相關(guān)資料請向芯朋微代理驪微電子申請。>>