近兩年來，由于國外芯片的高價(jià)格和缺貨等因素，很多廠商通過國產(chǎn)替代來解決項(xiàng)目缺料的問題，芯朋微旗下子公司無錫安趨電子專注功率驅(qū)動芯片及智能模塊，推出11V-600V高、中、低壓功率器件驅(qū)動芯片，廣泛應(yīng)用于家用電器、電動工具、通訊設(shè)備、風(fēng)機(jī)與泵、電動車、步進(jìn)電機(jī)、工業(yè)電機(jī)等領(lǐng)域。
 

　　

　　ID7S0230/ID1123D自舉驅(qū)動芯片是單相高壓功率的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，集成自舉二極管，輸入功率電壓高達(dá) 36V，4.8-15V 寬范圍工作電壓范圍，3A/3.5A 拉灌電流能力用于驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)功率晶體管，可兼容替代ON/安森美NCP81155。
 

　　

　　ncp81155替代物料ID7S0230/ID1123D特點(diǎn)　　

　　■ 集成自舉二極管　　

　　■ 輸入功率電壓高達(dá)36V　　

　　■ 4.8-15V 寬范圍工作電壓范圍　　

　　■ 輸入兼容 3.3V, 5V 邏輯工作電平　　

　　■ 3A/3.5A 拉灌電流能力　　

　　■ 自適應(yīng)防直通功能

　　

　　ncp81155替代物料ID7S0230/ID1123D其浮地通道驅(qū)動設(shè)計(jì)能適應(yīng)高達(dá)18V的BUS電壓，可通過控制使能引腳(EN)為低電平來關(guān)斷驅(qū)動器的輸出。內(nèi)部自適應(yīng)死區(qū)電路可有效防止功率管共態(tài)導(dǎo)通并進(jìn)一步降低了開關(guān)損耗。
 

　　

　　ID7S0230DEC-R1采用DFN3X 3-8L封裝，ID1123D有DFN3×3-8L和SOP8兩種封裝，其引腳功能和電氣參數(shù)等與ON/安森美NCP81155基本一致，在實(shí)際應(yīng)用過程中ID7S0230/ID1123D可兼容替代ncp81155，廣泛應(yīng)用于電子煙、無線充電領(lǐng)域。