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銓力-Allpower 30V系列:電機(jī)驅(qū)動(dòng)、bms mos管!

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文章出處:驪微電子責(zé)任編輯:電源管理芯片人氣:-發(fā)表時(shí)間:2023-08-18
  銓力-Allpower 30V Trench MOSFET主要應(yīng)用于BLDC、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、加濕器電源、儲(chǔ)能、小家電、BMS等領(lǐng)域,針對(duì)電動(dòng)工具市場(chǎng)推出了一系列先進(jìn)封裝、短路能力強(qiáng)、低內(nèi)阻產(chǎn)品,主要應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、鋰保等結(jié)構(gòu)領(lǐng)域,下面推薦幾款30V電機(jī)驅(qū)動(dòng)、BMS常用MOS管。
  
  BMS在鋰電池電源中起到對(duì)電池充放電保護(hù),通訊等管理的作用;其中充放電保護(hù)電路中一般采用MOS作為開關(guān)元件!
 
  AP0903Q是30V、20A N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管采用PDFN3*3封裝,絲印0903Q,導(dǎo)通內(nèi)阻RDS(on)<13mΩ@VGS=10V,TYP:4.1mΩ。
  
  AP30H80Q是30V、80A N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管采用PDFN3*3封裝,絲印30H80Q,導(dǎo)通內(nèi)阻RDS(on)<4.8mΩ@VGS=10V,TYP:4.1mΩ。
  
  AP90N03Q是30V、90A N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管采用PDFN3*3封裝,絲印90N03Q,導(dǎo)通內(nèi)阻RDS(on)<4.2mΩ@VGS=10V,TYP:3.6mΩ。 
 
  AP30H150Q是30V、105A  N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管采用PDFN3*3封裝,絲印30H150Q,導(dǎo)通內(nèi)阻RDS(on)<3.8mΩ@VGS=10V。
  
  AP180N03G是30V、180A  N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管采用PDFN5*6封裝,絲印180N03G,RDS(on)(典型值)=1.7mΩ@VGS=10V。
  
  電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是三相全橋架構(gòu),MOS數(shù)量為6顆或是6的倍數(shù),正常工作頻率不高,普通溝槽或者低壓SGT工藝MOS均可使用。手持類電動(dòng)工具因空間的限制,MOS封裝一般選用貼片封裝,TO-252、PDFN5*6以及PDFN3.3*3.3等;園林工具工作電流較大、組裝空間相對(duì)來說一般選用PDFN5*6 、TO-220AB以及TO-263等封裝。
  
  AP150N03G是30V、150A  N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管采用PDFN5*6-8L封裝,絲印150N03G,RDS(on)(典型值)<3.2mΩ@VGS=10V!
 
  AP150N03K是30V、150A  N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管采用TO-252封裝,RDS(on)(典型值)<3.1mΩ@VGS=10V。 
 
  AP30H180K是30V、180A  N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管采用TO-252封裝,絲印30H180K,RDS(on)(典型值)<2.4mΩ@VGS=10V!
 
  AP120N03是30V、120A  N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管采用TO-220C封裝,絲印120N03,RDS(on)(典型值)<3.8mΩ@VGS=10V。
  
  30V電機(jī)驅(qū)動(dòng)、BMS常用MOS管有PDFN3*3、PDFN5*6、TO-252、TO-220C等多種封裝,滿足不同的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)與終端使用需求,更多MOS器件選型產(chǎn)品手冊(cè)、參數(shù)等方案資料請(qǐng)向銓力代理商驪微電子申請(qǐng)。>>
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