銓力-Allpower 30V系列:電機(jī)驅(qū)動(dòng)、bms mos管!
字號(hào):T|T
銓力-Allpower 30V Trench MOSFET主要應(yīng)用于BLDC、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、加濕器電源、儲(chǔ)能、小家電、BMS等領(lǐng)域,針對(duì)電動(dòng)工具市場(chǎng)推出了一系列先進(jìn)封裝、短路能力強(qiáng)、低內(nèi)阻產(chǎn)品,主要應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、鋰保等結(jié)構(gòu)領(lǐng)域,下面推薦幾款30V電機(jī)驅(qū)動(dòng)、BMS常用MOS管。
BMS在鋰電池電源中起到對(duì)電池充放電保護(hù),通訊等管理的作用;其中充放電保護(hù)電路中一般采用MOS作為開關(guān)元件!
AP0903Q是30V、20A N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管采用PDFN3*3封裝,絲印0903Q,導(dǎo)通內(nèi)阻RDS(on)<13mΩ@VGS=10V,TYP:4.1mΩ。
AP30H80Q是30V、80A N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管采用PDFN3*3封裝,絲印30H80Q,導(dǎo)通內(nèi)阻RDS(on)<4.8mΩ@VGS=10V,TYP:4.1mΩ。
AP90N03Q是30V、90A N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管采用PDFN3*3封裝,絲印90N03Q,導(dǎo)通內(nèi)阻RDS(on)<4.2mΩ@VGS=10V,TYP:3.6mΩ。
AP30H150Q是30V、105A N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管采用PDFN3*3封裝,絲印30H150Q,導(dǎo)通內(nèi)阻RDS(on)<3.8mΩ@VGS=10V。
AP180N03G是30V、180A N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管采用PDFN5*6封裝,絲印180N03G,RDS(on)(典型值)=1.7mΩ@VGS=10V。
電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是三相全橋架構(gòu),MOS數(shù)量為6顆或是6的倍數(shù),正常工作頻率不高,普通溝槽或者低壓SGT工藝MOS均可使用。手持類電動(dòng)工具因空間的限制,MOS封裝一般選用貼片封裝,TO-252、PDFN5*6以及PDFN3.3*3.3等;園林工具工作電流較大、組裝空間相對(duì)來說一般選用PDFN5*6 、TO-220AB以及TO-263等封裝。
AP150N03G是30V、150A N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管采用PDFN5*6-8L封裝,絲印150N03G,RDS(on)(典型值)<3.2mΩ@VGS=10V!
AP150N03K是30V、150A N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管采用TO-252封裝,RDS(on)(典型值)<3.1mΩ@VGS=10V。
AP30H180K是30V、180A N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管采用TO-252封裝,絲印30H180K,RDS(on)(典型值)<2.4mΩ@VGS=10V!
AP120N03是30V、120A N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管采用TO-220C封裝,絲印120N03,RDS(on)(典型值)<3.8mΩ@VGS=10V。
30V電機(jī)驅(qū)動(dòng)、BMS常用MOS管有PDFN3*3、PDFN5*6、TO-252、TO-220C等多種封裝,滿足不同的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)與終端使用需求,更多MOS器件選型產(chǎn)品手冊(cè)、參數(shù)等方案資料請(qǐng)向銓力代理商驪微電子申請(qǐng)。>>
相關(guān)資訊
- 國(guó)產(chǎn)芯片芯朋微轉(zhuǎn)戰(zhàn)科創(chuàng)板,進(jìn)軍工業(yè)藍(lán)海,
- 電源管理芯片制造過程
- 芯片漲價(jià)缺貨,假貨橫行,如何辨別真假芯片
- viper12a替代芯片AP8012H pin to pin兼容不
- led驅(qū)動(dòng)芯片原理及驅(qū)動(dòng)ic方式的選擇
- AC-DC電源芯片測(cè)試難點(diǎn)分析
- 三種開關(guān)電源芯片技術(shù)知識(shí)分享
- 開關(guān)電源芯片AC/DC、DC/DC
- 影響電源芯片成本的重要參數(shù)有那些?
- HD1015無線充發(fā)射端芯片布局指南!
同類文章排行
- 電源芯片sdh8302s可PIN腳代換VIPER12A/AP80
- ap8022代換viper22a可兼容,不改PCB及外圍
- 什么是MOS管的雪崩及mos管雪崩擊穿原理!
- 常用dc-dc降壓芯片推薦
- 國(guó)產(chǎn)電源管理芯片有哪些?
- IR4427替換芯片ID1127雙低側(cè)、大電流驅(qū)動(dòng),
- sdh8303代換viper22a/AP8012H,PIN腳兼容無
- PN555L內(nèi)置690V小功率非隔離芯片可替PN8008
- 常用低壓mos管型號(hào)及選型!
- 開關(guān)電源原邊反饋(PSR)技術(shù)深度解析!
最新文章資訊
- 過認(rèn)證、低成本 | 65W-PD-2C1A氮化鎵設(shè)計(jì)方
- 開業(yè)大吉 | 深圳市驪微電子-寧波分公司!
- 喜賀芯朋微祝靖博士榮獲“江蘇青年五四獎(jiǎng)?wù)?/a>
- CR6212_5V/12V高效率、低成本電源方案,完
- 2024年展翅飛翔 | 2023年度業(yè)務(wù)總結(jié)交流大
- 真茂佳助力電動(dòng)汽車聯(lián)盟汽車電子元器件工作
- 銓力AP30H80Q vbus開關(guān)MOS獲得安克67W 2C1A
- 士蘭微650V高壓超結(jié)STS系列,廣泛應(yīng)用于消
- 芯朋PN8213獲品勝65W氮化鎵充電器采用,可
- 驪微電子參加生命應(yīng)急“救”在身邊,急救技