MOS管是一種金屬—氧化物—半導體場效應晶體管，或稱金屬—絕緣體—半導體，具有高頻、驅(qū)動簡單、抗擊穿性好等特點，是中小功率應用領(lǐng)域的主流開關(guān)器件，廣泛應用于通信、消費電子、汽車電子、工業(yè)控制、計算機及外設設備、電源管理等。驪微電子低壓MOSFET主要用于消費電子領(lǐng)域，中高壓MOSFET則主要用于工業(yè)、通訊、電動車等領(lǐng)域。

　　

　　4n65高壓mos管參數(shù)　　

　　型號：SVF4N65F/M/MJ/D 　　

　　電性參數(shù)：4A  650V　　

　　反向恢復時間(Trr)：450ns　　

　　導通電阻RDS(on)：(典型值)=2.3Ω@VGS=10V　　

　　封裝：T0-220F-3L、T0-251J-3L、T0-251D-3L、T0-252-2L
 

　　

　　7N65場效應管參數(shù)　　

　　型號：SVF7N65T/F/S　　

　　電性參數(shù)：7A  650V　　

　　恢復時間(Trr)：499ns　　

　　導通電阻RDS(on)：(典型值)=1.1Ω@VGS=10V　　

　　封裝：T0-220F-3L、T0-263-2L、T0263-2L、T0-220-3L
 

　　

　　場效應管10N65高壓mos管參數(shù)　　

　　型號：SVF10N65T/F/K/S  　　

　　電性參數(shù)：10A  650V　　

　　恢復時間(Trr)：561ns　　

　　導通電阻RDS(on)：(典型值)=0.8Ω@VGS=10V　　

　　封裝：T0-220-3L、T0-220F-3L、T0-262-3L、T0263-2L、T0-263-2L
 

　　

　　高壓mos管12n65參數(shù)　　

　　型號：SVF12N65F/K/S   　　

　　電性參數(shù)：12A  650V　　

　　恢復時間(Trr)：562ns　　

　　導通電阻RDS(on)：(典型值)=0.64Ω@VGS=10V　　

　　封裝：T0-220F-3L、T0-262-3L、T0-263-2L、T0-263-2L
 

　　

　　4N65/7N65/10N65/12N65/18N65等高壓MOS管系列，大幅減少了應用中的導通損耗的，同時助力高功率密度的電源設計，擁有多種封裝形式，能夠滿足不同的電路拓撲結(jié)構(gòu)與終端使用需求，更多低壓、高壓及超結(jié)MOS器件替換及產(chǎn)品手冊、參數(shù)等方案資料請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>