廈門(mén)士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司，是由杭州士蘭微電子股份有限公司與與廈門(mén)半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司共同投資成立的，項(xiàng)目總投資約220億元，規(guī)劃建設(shè)兩條12吋特色工藝晶圓生產(chǎn)線(xiàn)及一條化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線(xiàn)，10月24日，士蘭微發(fā)布公告稱(chēng)，士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線(xiàn)已實(shí)現(xiàn)初步通線(xiàn)，首個(gè)SiC器件芯片已投片成功，首批投片產(chǎn)品各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)達(dá)到設(shè)計(jì)要求，項(xiàng)目取得了階段性進(jìn)展。

　　

　　士蘭微電子是國(guó)內(nèi)集芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、芯片封裝為一體的IDM公司之一，在功率器件方面，公司的超結(jié)MOSFET、IGBT、FRD、高性能低壓分離柵MOSFET等分立器件的技術(shù)平臺(tái)研發(fā)進(jìn)展較快，產(chǎn)品性能達(dá)到業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的水平。分立器件和大功率模塊在白電、工業(yè)控制、新能源汽車(chē)、光伏等市場(chǎng)均有突破。

　　

　　士蘭明鎵已于2022年7月正式啟動(dòng)化合物半導(dǎo)體第二期建設(shè)項(xiàng)目，即“SiC功率器件生產(chǎn)線(xiàn)建設(shè)項(xiàng)目”。本項(xiàng)目計(jì)劃投資15億元，建設(shè)一條6吋SiC功率器件芯片生產(chǎn)線(xiàn)，最終形成年產(chǎn)14.4萬(wàn)片6吋SiC功率器件芯片的產(chǎn)能，其中SiC-MOSFET芯片12萬(wàn)片/年、SiC-SBD芯片2.4萬(wàn)片/年。

　　

　　士蘭明鎵正在加快后續(xù)設(shè)備的安裝、調(diào)試，目標(biāo)是在今年年底形成月產(chǎn)2000片6英寸SiC芯片的生產(chǎn)能力。目前公司已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術(shù)的開(kāi)發(fā)，性能指標(biāo)達(dá)到業(yè)內(nèi)同類(lèi)器件結(jié)構(gòu)的先進(jìn)水平。已將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車(chē)主驅(qū)功率模塊上，參數(shù)指標(biāo)較好，繼續(xù)完成評(píng)測(cè)，即將向客戶(hù)送樣。

　　

　　SiC作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，具有寬禁帶寬度、高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力，是高溫、高壓、大功率應(yīng)用場(chǎng)合下極為理想的半導(dǎo)體器件材料，應(yīng)用于新能源汽車(chē)、光伏、工控等領(lǐng)域，在電力電子設(shè)備中實(shí)現(xiàn)對(duì)電能的高效管理。

　　

　　在新能源汽車(chē)領(lǐng)域，SiC功率半導(dǎo)體主要用于驅(qū)動(dòng)和控制電機(jī)的逆變器、車(chē)載DC/DC轉(zhuǎn)換器、車(chē)載充電器（OBC）等，以逆變器為例，碳化硅模塊代替硅基IGBT后，逆變器輸出功率可增至硅基系統(tǒng)的2.5倍，體積縮小1.5倍，功率密度為原有3.6倍，最終實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)成本整體降低，車(chē)載充電器和充電樁使用SiC器件后將充分發(fā)揮高頻、高溫和高壓三方面的優(yōu)勢(shì)，可實(shí)現(xiàn)充電系統(tǒng)高效化、小型化和高可靠性。