65w快充方案由PN8213、PN8307P、AP2080三顆套片組合，搭配GaN或者SuperJunction器件，具有高環(huán)路穩(wěn)定度、高功率密度、50mW低待機(jī)功耗、100V全集成同步整流等多重亮點。

　　

　　一、65w快充方案亮點　　

　　PN8213實現(xiàn)真正QR-Lock技術(shù)，環(huán)路高度穩(wěn)定，進(jìn)口替換的適配度更高，最高支持500kHz工作頻率，減小變壓器及輸出電容體積；典型轉(zhuǎn)換效率大于93%，提升充電器功率密度。

　　

　　PN8213與海外友商相比，具備“三高一低”壓倒性優(yōu)勢替代，外圍少2-4顆（OVP復(fù)用）、1/4負(fù)載轉(zhuǎn)換效率優(yōu)于1%以上，啟動HV耐壓高出100V，VDD耐壓高出30V，具有市電欠壓保護(hù)、輸出過壓保護(hù)、原副邊防直通保護(hù)、過載保護(hù)、過溫保護(hù)等�！　�
 

　　PN8213內(nèi)置800V高壓啟動管和X電容放電功能，待機(jī)功耗小于50mW。

　　

　　與PN8213主控搭配的是全集成同步整流PN8307P，內(nèi)置100V/7mΩ智能MOSFET，自適應(yīng)死區(qū)控制提高M(jìn)OSFET Rdson利用率，更低溫升，超高性價比。

　　

　　方案還包含了AP2080 Boost芯片采用1.5MHz開關(guān)頻率的COT控制技術(shù)，將儲能電感體積降至0805封裝，任何工況下可將PN8213 供電范圍控制在11-40V，提高15-20V輸出電壓下的轉(zhuǎn)換效率。

　　

　　二、封裝及腳位配置圖

　　

　　三、DEMO實物圖

　　

　　65w快充方案demo如上圖所示，尺寸僅為52mm x 27mm x20mm，外圍精簡。

　　

　　四、方案典型應(yīng)用圖

　　

　　五、變壓器設(shè)計

　　

　　變壓器設(shè)計采用ATQ23.7骨架，繞線結(jié)構(gòu)如上圖所示，初級繞組電感量 (Lp) ：320±5%uH @10kHz。

　　

　　六：效率測試

　　

　　在20V輸出下的效率表現(xiàn)測試中，可以看到65W快充方案在115V和230V輸入電壓時，20V 3.25A的輸出效率均超過92%，相較于能效標(biāo)準(zhǔn)有4%以上的裕量。
 

　　

　　在15V輸出下的效率表現(xiàn)測試中，可以看到芯朋微65W PD快充方案在115V和230V輸入電壓時，15V 3A的輸出效率超過92%，相較于能效標(biāo)準(zhǔn)有4%左右的裕量。
 

　　

　　在9V輸出下的效率表現(xiàn)測試中，可以看到65W PD套片方案在115V和230V輸入電壓時，9V3A的輸出效率接近92%，相較于能效標(biāo)準(zhǔn)有6%左右的裕量。
 

　　

　　在5V輸出下的效率表現(xiàn)測試中，可以看到65W快充方案在115V輸入電壓時，5V 3A的輸出效率接近91%，在230V輸入電壓時5V 3A的輸出效率超過88%，相較于能效標(biāo)準(zhǔn)有9%和6%左右的裕量。

　　

　　七：空載待機(jī)功耗

　　

　　通過對65W 快充方案的空載待機(jī)功耗測試可以看出，待機(jī)功耗在50mW左右，滿足75mW能效標(biāo)準(zhǔn)。

　　

　　八、EMC測試　　

　　● EMI傳導(dǎo)、輻射滿足EN55032 Class B標(biāo)準(zhǔn)要求，裕量均大于6dB　　

　　● ESD滿足IEC61000-4-2，8kV/15kV等級要求　　

　　● EFT滿足IEC 61000-4-4: 2004，4kV等級要求　　

　　● Surge滿足IEC 61000-4-5:2005，2kV等級要求　　

　　● 交流絕緣滿足3.75kVac要求

　　

　　65w快充方案采用初級高適配+次級全集成，QR-Lock技術(shù)，顯著提高充電器的功率密度，相比普通QR整體工作頻率更高、環(huán)路穩(wěn)定性更佳，更多65w快充方案PN8213+PN8307P+AP2080產(chǎn)品手冊、測試數(shù)據(jù)及應(yīng)用要點資料請向我們申請。>>