蘋果20W PD快充方案的推出，勢必會帶動第三方快充配件的快速發(fā)展，驪微電子推出了一套高集成20W PD快充方案，利用PN8162+PN8307H兩顆內(nèi)置mos芯片實現(xiàn)AC-DC電源轉(zhuǎn)換，節(jié)省啟動電阻、CS偵測電阻等多顆外圍，在小體積內(nèi)實現(xiàn)高性能的電源方案。
 

　　
 

　　主控芯片PN8162采用 PDFN 專用功率封裝，相比傳統(tǒng) SOP8，封裝熱阻更低，顯著提高了充電器功率密度，內(nèi)置690V高雪崩能力的功率MOSFET，準(zhǔn)諧振工作，通過DMG檢測到的消磁信號實現(xiàn)精確谷底開通，以提高系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率。

　　

　　次級同步整流MOS采用PN8307H，內(nèi)置11mΩ 60V Trench MOSFET，集成了極為全面的輔助功能，包含輸出欠壓保護(hù)、防誤開啟、最小導(dǎo)通時間等功能，可保證電壓 de-rating 裕量充足，進(jìn)而降低整體方案成本，節(jié)省啟動電阻、CS偵測電阻等多顆外圍。
 

　　

　　20W PD快充方案亮點　　

　　★ 原邊主控 PN8162 和次邊同步 PN8307Ｈ均實現(xiàn)功率集成，得益于專利智能 MOS 技術(shù)，節(jié)省啟動電阻、CS偵測電阻等多顆外圍，PCBA 尺寸：28mm*28mm*24mm；　　

　　★ PN8162 采用 PDFN 專用功率封裝，相比傳統(tǒng) SOP8，封裝熱阻從 80℃/W 降低至 15℃/W，顯著提高充電器功率密度；單邊 drain 腳位，高低壓引腳爬電距離大于 1.2mm，安全可靠；　　

　　★ PN8162 采用負(fù)載自適應(yīng)谷底開通技術(shù)，徹底解決小體積充電器開關(guān)干擾源至 LN 線位移電流帶來的傳導(dǎo)難題，EMC 裕量大于 6dB；　　

　　★ PN8162 工作強制 DCM 模式，從而保證最糟工況下 SR 尖峰電壓可控制在 51V 以內(nèi)，60V 耐壓的 PN8307即可保證電壓 de-rating 裕量充足，進(jìn)而降低整體方案成本；　　

　　★ PN8162 內(nèi)置輸入欠壓保護(hù)，通過 DMG 監(jiān)控市電，防止市低壓工作導(dǎo)致電源異常；　　

　　★ PN8162 9-38V VDD 供電、PN8307 3-24V VCC 供電，在 3-12V 輸出電壓范圍內(nèi)無需外部 LDO；　　

　　★ PN8162 內(nèi)置線電壓補償，根據(jù)市電自動調(diào)整內(nèi)部峰值電流參考，全電壓范圍 OCP 精度在 10%以內(nèi)；　　

　　★ HUSB339B 協(xié)議支持 PD3.0、PD2.0、QC3.0/QC2.0、AFC、FCP、BC1.2 DCP 及 5V2.4A。
 

　　
 

　　驪微電子20W PD快充方案通過采用高集成設(shè)計的芯片，實現(xiàn)了超精簡的外圍電路，一方面為快充電源廠商降低了新品開發(fā)的門檻、加速了新品上市的周期，另一方也使得產(chǎn)品的系統(tǒng)成本得以進(jìn)一步壓縮，提升利潤空間和產(chǎn)品競爭力，更多基于PN8162+PN8307H小體積20W PD快充方案原理圖，電源輸入輸出規(guī)格，BOM 表和變壓器參數(shù)以及安規(guī)和 EMI 測試數(shù)據(jù)等資料，可向驪微電子申請。>>