近兩年隨著手機(jī)、電腦、平板等電子設(shè)備的普及，解決電量續(xù)航已成為眾多商家共同研究的發(fā)展方向，USB-PD是目前主流的快充協(xié)議之一，蘋(píng)果從iPhone 8開(kāi)始所有機(jī)型都搭載PD快速充電功能，并未將快充套裝做為標(biāo)配，為第三方快充配件產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)帶來(lái)巨大發(fā)展空間。

　　

　　驪微電子看準(zhǔn)市場(chǎng)需求，并結(jié)合自身優(yōu)勢(shì)，推出18W PD快充方案PN8161+PN8307H，以及 PD 20w快充方案PN8162+PN8307H，憑借著精簡(jiǎn)的外圍電路、極佳的成本優(yōu)勢(shì)以及可靠的穩(wěn)定性獲得了市場(chǎng)的廣泛認(rèn)可，下面了解下pd18w快充和20w快充區(qū)別。
 

　　

　　PN8161+PN8307H 18W PD快充方案亮點(diǎn)：　　

　　節(jié)省10顆以上外圍： 無(wú)啟動(dòng)電阻、無(wú)CS偵測(cè)網(wǎng)絡(luò)，原副邊均實(shí)現(xiàn)SOP8功率集成；　　

　　滿足CoC V5 Tier 2：專(zhuān)利高壓?jiǎn)��?dòng)，實(shí)現(xiàn)30mW待機(jī)功耗；工作曲線隨輸出電壓自適應(yīng)，不同輸出電壓下平均效率裕量均大于4個(gè)點(diǎn)；　　

　　EMC性能卓越：抖頻幅度隨負(fù)載自適應(yīng)，改善傳導(dǎo)；DCM/QR工作模式，避免次級(jí)整流管反向恢復(fù)問(wèn)題，改善輻射；　　

　　3.3~12V寬輸出電壓范圍：PN8161/PN8307H供電范圍寬，無(wú)需額外LDO穩(wěn)壓；　　

　　協(xié)議芯片任意搭：SSR架構(gòu)，方案易滿足PD3.0/QuickCharge 4+。
 

　　

　　PN8162+PN8307H 20W PD 充電器方案八大亮點(diǎn)：　　

　　★ 原邊主控 PN8162 和次邊同步 PN8307Ｈ均實(shí)現(xiàn)功率集成，得益于專(zhuān)利智能 MOS 技術(shù)，節(jié)省啟動(dòng)電阻、CS偵測(cè)電阻等多顆外圍，PCBA 尺寸：28mm*28mm*24mm；　　

　　★ PN8162 采用 PDFN 專(zhuān)用功率封裝，相比傳統(tǒng) SOP8，封裝熱阻從 80℃/W 降低至 15℃/W，顯著提高充電器功率密度；單邊 drain 腳位，高低壓引腳爬電距離大于 1.2mm，安全可靠；　　

　　★ PN8162 采用負(fù)載自適應(yīng)谷底開(kāi)通技術(shù)，徹底解決小體積充電器開(kāi)關(guān)干擾源至 LN 線位移電流帶來(lái)的傳導(dǎo)難題，EMC 裕量大于 6dB；　　

　　★ PN8162 工作強(qiáng)制 DCM 模式，從而保證最糟工況下 SR 尖峰電壓可控制在 51V 以內(nèi)，60V 耐壓的 PN8307即可保證電壓 de-rating 裕量充足，進(jìn)而降低整體方案成本；　　

　　★ PN8162 內(nèi)置輸入欠壓保護(hù)，通過(guò) DMG 監(jiān)控市電，防止市低壓工作導(dǎo)致電源異常；　　

　　★ PN8162 9-38V VDD 供電、PN8307 3-24V VCC 供電，在 3-12V 輸出電壓范圍內(nèi)無(wú)需外部 LDO；　　

　　★ PN8162 內(nèi)置線電壓補(bǔ)償，根據(jù)市電自動(dòng)調(diào)整內(nèi)部峰值電流參考，全電壓范圍 OCP 精度在 10%以內(nèi)；　　

　　★ HUSB339B 協(xié)議支持 PD3.0、PD2.0、QC3.0/QC2.0、AFC、FCP、BC1.2 DCP 及 5V2.4A。

　　

　　pd18w快充和20w快充主要區(qū)別在于原邊主控芯片的不一樣，18W PD快充方案采用的PN8161，集成市電Brown in/out、AC OVP等保護(hù)，可節(jié)省啟動(dòng)電阻、CS偵測(cè)網(wǎng)絡(luò)、驅(qū)動(dòng)及分離MOSFET等近顆10元器件，PD 20W快充方案采用的是PN8162，9-38V VDD 供電、采用 PDFN 專(zhuān)用功率封裝，相比傳統(tǒng) SOP8，封裝熱阻從 80℃/W 降低至 15℃/W，顯著提高充電器功率密度；副邊芯片都是使用PN8307H，采用SOP8封裝，并通過(guò)控制策略創(chuàng)新降低SR反向電壓至50V以內(nèi)，可顯著降低方案成本，PD快充選擇內(nèi)置MOS的高集成方案，以此減少產(chǎn)品PCBA上元器件數(shù)量，降低系統(tǒng)成本、縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期、加速產(chǎn)品上市，搶占市場(chǎng)。