同步整流芯片那個品牌比較好，這是很多工程師在開發(fā)設(shè)計開關(guān)電源所遇到的問題，對于國產(chǎn)同步整流芯片那個品牌好，選擇合適的同步整流芯片不但有效的替代功率二極管整流，還可以降低整流損耗提高轉(zhuǎn)換效率，同步整流芯片具有損耗小，效率高，相同功率下電源尺寸可以更小等特點(diǎn)，贏得了廣大工程師的青睞。

　　

　　反激同步整流技術(shù)目前主要分為DCM模式和CCM模式兩種模式，DCM模式同步整流雖然技術(shù)成熟，但應(yīng)用場合一般受限于小功率充電器；CCM模式同步整流支持任何模式原邊芯片，因此應(yīng)用功率更大、應(yīng)用場合更廣！

　　

　　PN8308國產(chǎn)同步整流芯片，內(nèi)置80V智能功率MOSFET，因外圍精簡、EMC性能卓越、支持任意工作模式、貼片封裝并無需散熱片，被廣泛應(yīng)用于輸出電壓9-15V的電源，具有如下特點(diǎn)：

　　

　　易搭配原邊主控芯片： ns級速度關(guān)斷SR， 支持150kHz工作頻率，支持CCM/DCM/QR工作模式；　　

　　EMC性能卓越：獨(dú)特電流跟蹤技術(shù)顯著降低dV/dt，EMC特性優(yōu)于肖特基；　　

　　可實(shí)現(xiàn)零外圍工作：Low side架構(gòu)，單邊SW貼片封裝，方便PCB Layout；　　

　　全面的智能保護(hù)功能：UVLO、防誤開啟、防誤關(guān)斷功能。

　　

　　CCM模式同步整流的技術(shù)難點(diǎn)在于如何精確關(guān)斷，PN8308同步整流芯片集成了控制器及功率MOSFET，控制器實(shí)時跟蹤功率MOSFET電流，實(shí)現(xiàn)50ns內(nèi)快速關(guān)斷，避免關(guān)斷點(diǎn)靠前(Ta之前，如預(yù)測關(guān)斷技術(shù))或靠后(Tb之后，如傳統(tǒng)快速關(guān)斷技術(shù))，引起的Vds尖峰和EMC問題。

　　

　　■ Ta之前預(yù)關(guān)斷，即減弱驅(qū)動；　　

　　■ [Ta,Tb]區(qū)間大電流關(guān)閉SR　　

　　■ 內(nèi)置高開關(guān)速度智能MOSFET，進(jìn)一步加快關(guān)斷速度
 

　　

　　PN8308同步整流芯片通過內(nèi)置Tonmin、Toffmin，增加SR開通限制條件等措施徹底避免SR誤開通造成的直通問題。

　　

　　對于國產(chǎn)同步整流芯片那個品牌好，傳統(tǒng)的同步整流方案基本上都是PWM型同步整流，主開關(guān)與同步整流開關(guān)的驅(qū)動信號之間必須設(shè)置一定的死區(qū)時間，以避免交叉導(dǎo)通，CCM模式同步整流的技術(shù)PN8308H同步整流芯片包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，解決了同步整流MOS管就存在體二極管導(dǎo)通和反向恢復(fù)等問題，從而降低同步整流電路的性能。