近幾年，隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，人們對(duì)芯片要求的不斷提升，對(duì)芯片的供電電壓也要求越來越低，反激同步整流芯片一般都是采用電阻小的功率MOS管代替二極管實(shí)現(xiàn)整流，降低電壓提高電源效率，反激同步整流控制芯片因其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低廉、在小功率領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。
 

　　
 

　　PN8306反激芯片包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，內(nèi)置13mΩ 40V Trench MOSFET適用于DCM和QR工作模式，用于在高性能反激系統(tǒng)中替代次級(jí)整流肖特基二極管。PN8306反激同步整流芯片內(nèi)置電壓降極低的功率MOSFET具有高精度次級(jí)電流檢測(cè)電路功能，以提高電流輸出能力，通過RT腳外置電阻可以靈活設(shè)置Tonmin，提升轉(zhuǎn)換效率并降低芯片溫度，主要應(yīng)用于5V電池充電器及適配器領(lǐng)域。

　　

　　PN8307H反激同步整流芯片包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，內(nèi)置11mΩ 60V Trench MOSFET，適用于3.6V-20V寬供電范圍工作，用于在高性能AC/DC反激系統(tǒng)中替代次級(jí)整流肖特基二極管，PN8307H反激芯片內(nèi)置電壓降極低的功率MOSFET，具有自適應(yīng)次級(jí)電流檢測(cè)電路功能以提高電流輸出能力，提升轉(zhuǎn)換效率，使得系統(tǒng)效率可以滿足6級(jí)能效的標(biāo)準(zhǔn)，并留有足夠的裕量。PN8307H反激同步整流控制芯片集成了極為全面的輔助功能，包含輸出欠壓保護(hù)、防誤開啟、最小導(dǎo)通時(shí)間等功能，適用于QC3.0充電器及適配器及適配器。

　　

　　PN8308H反激同步整流控制芯片包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，內(nèi)置10mΩ 80V Trench MOSFET，適用于CCM，DCM和QR工作模式，具有電流跟蹤關(guān)斷技術(shù)，能夠精確地 檢 測(cè)到內(nèi)置功率MOSFET的漏源端壓差，使得關(guān)斷閾值為最佳關(guān)斷值，以減小體二極管導(dǎo)通的時(shí)間，獲得最佳的效率，提升轉(zhuǎn)換效率，使得系統(tǒng)效率可以滿足6級(jí)能效的標(biāo)準(zhǔn)，并留有足夠的裕量，主要用于9V/12V輸出適配器。

　　

　　反激同步整流芯片解決了以往采用肖特基二極管對(duì)于低壓大電流系統(tǒng)應(yīng)用上二極管的損耗提高系統(tǒng)效率的瓶頸，反激同步整流控制芯片具有電流跟蹤關(guān)斷技術(shù)，反激芯片控制功率MOSFET開關(guān)以實(shí)現(xiàn)同步整流功能，為了提高效率降低損耗，采用反激同步整流芯片同步整流技術(shù)已成為低電壓、大電流電源模塊的一種必然手段。