TK10A60D場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOS管參數(shù)：

　　低漏極 - 源極導(dǎo)通電阻：RDS（ON）=0.62Ω（典型值）

　　高正向傳輸導(dǎo)納：| Yfs | = 6.0 S（典型值）

　　低漏電流：IDSS =10μA（VDS = 600 V）

　　增強(qiáng)模式：Vth = 2.0至4.0 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）

　　TK10A60D絕對(duì)最大額定值:
 

　　注意：在重負(fù)載下連續(xù)使用（例如高溫/電流/電壓的應(yīng)用和溫度的顯著變化等）可能導(dǎo)致該產(chǎn)品的可靠性顯著降低如果操作條件（即操作溫度/電流/電壓等）在絕對(duì)最大值內(nèi)收視率.

　　TK10A60D熱特性:

　　TK10A60D電氣特性（Ta = = 25°C）:

　　TK10A60D源漏評(píng)級(jí)和特性（Ta = = 25°C）

　　如果需要產(chǎn)品TK10A60D的詳細(xì)手冊(cè)或其他資料，請(qǐng)向我們申請(qǐng)。>>