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5V2.4A 六級能效充電器套片方案

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文章出處：驪微電子責(zé)任編輯：admin人氣：-發(fā)表時間：2018-03-31 11:40

  今天我們?yōu)楦魑环劢z詳細(xì)介紹PN8305與PN8370配合使用，輕松實(shí)現(xiàn)5V2.4A六級能效電源方案。

 

1.封裝及腳位配置圖

 

PN8370集成超低待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。

PN8370為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓啟動電路，可實(shí)現(xiàn)芯片空載損耗（230VAC）小于30mW。

 

PN8305包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能反激系統(tǒng)中替代次級整流肖特基二極管。

PN8305內(nèi)置電壓降極低的功率MOSFET以提高電流輸出能力，提升轉(zhuǎn)換效率并降低芯片溫度。

 

2.PCB及DEMO實(shí)物圖

 

 

 

3.方案典型應(yīng)用圖

 

 

4.方案特性

  • 輸入電壓：90~265Vac全電壓

  • 輸出電壓：5V

  • 輸出電流：2.4A

  • 平均效率：≥79.94%(滿足六級能效要求)

  • 待機(jī)功耗<75mW

  • 多重補(bǔ)償（線補(bǔ)償、CC補(bǔ)償、溫度補(bǔ)償、輕載補(bǔ)償）無需外部元件

  • 輸出短路保護(hù)、輸出過流保護(hù)，VDD過壓保護(hù)，F(xiàn)B分壓電阻開路、短路保護(hù)，電流偵測電阻Rcs短路保護(hù)，過溫保護(hù)。

 

5.測試數(shù)據(jù)

 

 

 

 

6.EMC測試

  • EMI傳導(dǎo)、輻射滿足EN55022 Class B標(biāo)準(zhǔn)要求，裕量均大于6.0dB

  • ESD滿足IEC61000-4-2，8kV/15kV等級要求

  • EFT滿足IEC 61000-4-4: 2004，4kV等級要求

  • Surge滿足IEC 61000-4-5:2005，1kV等級要求

  • 交流絕緣滿足3.75kV,60s, 漏電流小于5mA要求

 

 

 

7.應(yīng)用要點(diǎn)

 

PN8370工作在DCM模式，忽略傳輸瞬態(tài)Tr和Tf，導(dǎo)通時間、去磁時間和振蕩時間分別為：

 

PN8370在T2時間內(nèi)間接采樣輸出電壓信號，為減小漏感振蕩對采樣的影響，最小T2時間應(yīng)足夠長(5V2.4A應(yīng)用建議大于2.5us)：

備注：電源在小負(fù)載工況下，PN8370的Vcs=0.17V以避免音頻噪音。

 

PN8305須在T2時間內(nèi)完成Trench MOSFET的開通和關(guān)斷，其最小導(dǎo)通時間由RT電阻設(shè)定：

因此RT電阻建議取值為:

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