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深圳市驪微電子科技有限公司
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ID2005 200V高低側(cè)半橋驅(qū)動(dòng)芯片
品牌:芯朋微/安趨
型號(hào):ID2005SEC-R1
封裝:SOP8
功率:200V
電流:1A/1A
型號(hào):ID2005SEC-R1
封裝:SOP8
功率:200V
電流:1A/1A
訂購熱線:0755-23087599
ID2005高低側(cè)半橋驅(qū)動(dòng)芯片具有大電流輸出能力,該浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高側(cè)配置的N溝道功率MOSFET,工作電壓高達(dá)200V。輸入信號(hào)可以兼容CMOS和LSTTL信號(hào),邏輯輸入電平低至3.3V。
id2005驅(qū)動(dòng)芯片特點(diǎn)
■ 高側(cè)浮動(dòng)偏移電壓200V
■ 芯片工作電壓范圍6V-18V
■ 輸入邏輯兼容3.3V/5V
■ 拉電流/灌電流能力1A/1A
■ dV/dt抗干擾能力±50V/nsec
■ VS負(fù)偏壓能力典型值-9V
封裝訂購信息

id2005芯片電路圖

應(yīng)用領(lǐng)域
■ 中小型功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)
■ 功率MOSFET或IGBT驅(qū)動(dòng)
■ 半橋功率逆變器
■ 全橋功率逆變器
■ 任意互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)換器
ID2005 高低側(cè)半橋驅(qū)動(dòng)芯片采用SOP8封裝,6-18V 寬范圍工作電壓范圍,1A/1A 拉灌電流能力,典型應(yīng)用于電動(dòng)車、電動(dòng)平衡車,具有防直通功能,是一款基于P襯底、P外延工藝的高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)芯片,具有獨(dú)立的高低邊參考輸出通道。