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深圳市驪微電子科技有限公司
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SD8666QS 36W內(nèi)置MOS原邊PWM控制芯片
所屬分類：SLAN/士蘭微
品牌：士蘭微
型號(hào)：SD8666QS
封裝：EHSOP-5-325-1.7
功率：36W
電流：12v3a
型號(hào)：SD8666QS
封裝：EHSOP-5-325-1.7
功率：36W
電流：12v3a
訂購(gòu)熱線：0755-23087599
SD8666QS概述：
SD8666QS 是用于開(kāi)關(guān)電源的內(nèi)置高壓功率MOSFET、外置采樣電阻的準(zhǔn)諧振電流模式PWM+PFM 控制器�！ �
SD8666QS 原邊PWM控制芯片具有多重模式控制：在重載下，高壓時(shí)工作在QR 模式，可以減小開(kāi)關(guān)損耗，低壓時(shí)工作固定頻率（55KHz）的CCM 模式。在中載和輕載下，工作在QR+PFM 模式，可以提高轉(zhuǎn)換效率。在空載下，進(jìn)入打嗝模式，有效地降低電路的待機(jī)功耗�！ �
SD8666QS 具有抖頻功能，以降低EMI。具有峰值電流補(bǔ)償功能，在不同的AC 輸入電壓下能保持極限輸出功率一致。還有軟啟動(dòng)功能，在上電過(guò)程中減小器件應(yīng)力�！ �
SD8666QS原邊PWM控制芯片內(nèi)部集成了各種異常狀態(tài)的保護(hù)功能，包括VCC過(guò)壓保護(hù)，輸出過(guò)載保護(hù)，輸出過(guò)壓保護(hù)，前沿消隱，逐周期峰值限流，輸出二極管短路保護(hù)，AC 輸入電壓欠壓/過(guò)壓保護(hù)和過(guò)溫保護(hù)等。
SD8666QS原邊PWM控制芯片主要特點(diǎn)：
■ QR 模式改善EMI 和減小開(kāi)關(guān)損耗
■ 輕載下的PFM 模式提高效率
■ 空載時(shí)進(jìn)入打嗝模式
■ 低壓重載升頻提高極限輸出功率
■ 抖頻改善EMI
■ 峰值電流補(bǔ)償
■ 軟啟動(dòng)
■ VCC 過(guò)壓保護(hù)
■ 輸出過(guò)載保護(hù)
■ 前沿消隱
■ 逐周期峰值限流
■ 輸出二極管短路保護(hù)
■ AC 輸入電壓欠壓/過(guò)壓保護(hù)
■ 外部可設(shè)的輸出過(guò)壓保護(hù)
■ 過(guò)溫保護(hù)
SD8666QS典型輸出功率能力：
SD8666QS典型應(yīng)用電路圖：
| 產(chǎn)品 | 85-265V | |
| 適配器 | 開(kāi)放式 | |
| SD8666QS | 36W | 48W |
SD8666QS典型應(yīng)用電路圖：
SD8666QS應(yīng)用領(lǐng)域：
■ 開(kāi)放式電源
■ 適配器
■ 機(jī)頂盒電源
芯片SD8666QS可廣泛適用于36W適配器或48W開(kāi)放環(huán)境，包括通用適配器、快充、顯示器和平板電視等，典型應(yīng)用于12V3A適配器方案，更多sd8666qs應(yīng)用電路、sd8666qs數(shù)據(jù)手冊(cè)、規(guī)格書(shū)及應(yīng)用資料請(qǐng)向士蘭微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
