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深圳市驪微電子科技有限公司
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PN8783 GaN快充芯片內(nèi)部集成了電流模式控制器和高壓啟動模塊以及高性能GaN FET，專用于高性能的快速充電開關(guān)電源�！ �
PN8783根據(jù)輸入電壓、輸出電壓和負(fù)載自適應(yīng)切換QR-Lock Mode、PFM和Burst Mode，多模式調(diào)制技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了全負(fù)載范圍內(nèi)的高效率和低待機(jī)功耗，同時避免了開關(guān)變換器進(jìn)入CCM模式工作，降低次級整流管的電壓應(yīng)力。頻率調(diào)制技術(shù)和Sof-Driver技術(shù)充分保證系統(tǒng)的良好EMI表現(xiàn)。內(nèi)置了線電壓補(bǔ)償模塊，提高了在全輸入電壓范圍內(nèi)的帶載能力一致性�！ �
同時，PN8783芯片還提供了極為全面和性能優(yōu)異的智能化保護(hù)功能，輸出過壓保護(hù)、過溫保護(hù)次級整流管短路保護(hù)、逐周期過流保護(hù)、過載保護(hù)等功能。
PN8783芯片特性
■ 內(nèi)置高壓GaN FET和高壓啟動電路
■ 供電電壓8.5~56V，適合寬輸出電壓應(yīng)用
■ QR-Lock技術(shù)提高效率改善系統(tǒng)噪聲
■ 空載待機(jī)功耗55mW@230VAc
■ 優(yōu)異全面的保護(hù)功能
■ 精確的過溫保護(hù)(OTP)
■ 輸出過壓保護(hù)
■ 逐周期過流保護(hù)(OCP)
■ 輸出短路保護(hù)
■ DMG電阻短路保護(hù)
■ 次級整流管短路保護(hù)
■ 過載保護(hù)
封裝/訂購信息
典型電路圖
應(yīng)用領(lǐng)域
■ 手機(jī)充電器
■ 適配器
PN8783 GaN快充芯片內(nèi)置700V GaN FET和高壓啟動電路，供電電壓8.5~56V，搭配PN8307P典型應(yīng)用于65W GaN高集成快充套片方案，更多PN8783芯片參數(shù)及應(yīng)用資料請向芯朋微代理驪微電子申請。>>
